Алтайский государственный университет Институт химии
и химико-фармацевтических
технологий

Методы жидкофазного халькогеннного пассивирования нанослоевых интерфейсов диодных контактов "полупроводник А3В5-переходной металл" n-типа.

Создание новых технологий получения близких к идеальным, устойчивых к действию агрессивных сред слоевых наноструктурных интерфейсов на границе металл-полупроводник
скачать
  • тип файла Документ (pdf)
  • размер 76.04 Kb
  • опубликован 10.03.2009

Еще документы